8542 код тн вэд

Пояснения к ТН ВЭД ЕАЭС

Изделия данной товарной позиции определены в примечании 8б к данной группе.

В отличие от электронных интегральных схем, дискретные компоненты могут иметь единственную активную электрическую функцию (полупроводниковые приборы, определенные примечанием 8а к группе 85) или единственную пассивную электрическую функцию (резисторы, конденсаторы, межэлементные соединения и т.д.). Дискретные компоненты являются неразъемными и представляют собой основные электронные структурные компоненты в системе.

Однако компоненты, состоящие из нескольких электрических схемных элементов и имеющие множество электрических функций, такие как интегральные схемы, не считаются дискретными компонентами.

Электронные интегральные схемы включают запоминающие устройства (например, ДОЗУ, СОЗУ, ППЗУ, СППЗУ, ЭСППЗУ), микроконтроллеры, управляющие схемы, логические схемы, вентильные матрицы, интерфейсные схемы и т.д.

Электронные интегральные схемы включают:

(I) Монолитные интегральные схемы.

Они являются микросхемами, в которых схемные элементы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы, межэлементные соединения и т.д.) образованы в массе (главным образом) и на поверхности полупроводникового материала (например, легированного кремния) и поэтому неразъемно связаны. Монолитные интегральные схемы могут быть цифровыми, линейными (аналоговыми) или аналого-цифровыми.

Монолитные интегральные схемы могут быть представлены как:

(i) собранные, то есть с их выводами или соединительными проводниками, помещенными или не помещенными в керамику, металл или пластмассу. Корпуса могут быть цилиндрическими, в форме параллелепипедов и т.д.;

(ii) несобранные, то есть как кристаллы, как правило, прямоугольной формы со сторонами, имеющими размер обычно в несколько миллиметров;

(iii) в виде неразрезанных пластин (то есть в виде не разрезанных на кристаллы).

Монолитные интегральные схемы включают:

(i) структуры металл-оксид-полупроводник (МОП-технология);

(ii) схемы, полученные по биполярной технологии;

(iii) схемы, полученные комбинацией биполярной и МОП-технологии (БИМОП-технология).

(II) Гибридные интегральные схемы.

Они являются микросхемами, образованными на изолирующей подложке, на которой была образована тонко- или толстопленочная схема. Этот процесс дает возможность получить одновременно некоторые пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, индуктивности и т.д.). Однако чтобы стать гибридной интегральной схемой данной товарной позиции, полупроводники должны быть встроены и установлены на поверхности или в виде кристаллов независимо от того, есть у них корпус или нет, или как помещенные в корпус полупроводники (например, специально спроектированные миниатюрные корпуса). Гибридные интегральные схемы могут также содержать произведенные отдельно пассивные элементы, которые встроены в основную пленочную схему таким же образом, как и полупроводники. Обычно эти пассивные элементы составляют такие компоненты, как конденсаторы, резисторы или индуктивности в виде кристаллов.

Подложки, образованные из нескольких слоев, обычно керамических, термосвязанных вместе для образования компактной сборки, должны рассматриваться в качестве единой подложки в пределах значения примечания 8б(ii) к данной группе.

Компоненты, образующие гибридную интегральную схему, должны быть объединены неразъемным образом для всех целей и областей применения, то есть, хотя некоторые из элементов можно было бы теоретически удалить и заменить, это представляло бы длительную и кропотливую работу, являющуюся неэкономичной в нормальных производственных условиях.

(III) Многокристальные интегральные схемы.

Они состоят из двух или более соединенных между собой монолитных интегральных схем, неразделимо объединенных для всех целей, расположенных или не расположенных на одной или нескольких изолирующих подложках, имеющих или не имеющих рамки с выводами, но не содержащих никаких других активных или пассивных элементов.

Многокристальные интегральные схемы, как правило, представлены в следующих конфигурациях:

— две или более монолитные интегральные схемы, расположенные рядом;

— две или более монолитные интегральные схемы уложены одна на другую;

— комбинации представленных выше конфигураций из трех или более монолитных интегральных схем.

Данные монолитные интегральные схемы соединены между собой в единое целое и могут быть упакованы посредством инкапсуляции или любым другим способом. Они неразделимо объединены для всех целей, тог есть несмотря на теоретическую возможность удаления и замены некоторых элементов, это будет задачей, требующей больших временных затрат, что будет невыгодно при обычных условиях производства.

Изолирующие подложки многокристальных интегральных схем могут содержать электропроводящие участки. Данные участки могут состоять из специальных материалов или иметь специальную форму для выполнения пассивных функций средствами, не являющимися дискретными элементами схем. Если на подложке расположены участки проводимости, они, как правило, используются как средства соединения монолитных интегральных схем между собой. Такие подложки могут также называться «вставками» или «разделителями», когда они помещены над самым нижним кристаллом или матрицей.

Монолитные интегральные схемы соединены между собой различными средствами, такими как клеящие составы, проволочные соединения или технологией «перевернутого кристалла».

В данную товарную позицию не включаются пленочные схемы, состоящие лишь из пассивных элементов (товарная позиция 8534).

В данную товарную позицию не включаются твердотельные энергонезависимые устройства хранения данных, «интеллектуальные карточки» и другие носители для записи звука или других явлений (см. товарную позицию 8523 и примечание 4 к данной группе).

За исключением комбинаций (для всех целей и областей применения, являющихся неразъемными), на которые делалась ссылка выше в частях (II) и (III) относительно гибридных интегральных схем и многокристальных интегральных схем, в данную товарную позицию также не включаются сборки, образованные:

(а) установкой одного или более дискретных компонентов на опоре, образованной, например, печатной схемой;

(б) добавлением одного или нескольких приборов, таких как диод, трансформатор или резистор, к электронной микросхеме; или

(в) комбинацией дискретных компонентов или комбинацией электронных микросхем, кроме многокристальных интегральных схем.

Такие сборки классифицируются следующим образом:

(i) сборки, которые образуют законченную машину или оборудование (или объект, рассматриваемый как законченный), включаются в товарную позицию, относящуюся к машине или оборудованию;

Это относится, в частности, к некоторым электронным модулям памяти (например, SIMM (модули памяти с однорядными выводами) и DIMM (модули памяти с двухрядными выводами)). Эти модули должны классифицироваться на основании примечания 2 к разделу XVI. (См. общие положения к данной группе.)

При условии соблюдения общих положений, относящихся к классификации частей (см. общие положения к разделу XVI), части товаров данной товарной позиции включаются в данную товарную позицию.

Источник

Изделия этой товарной позиции определены в примечании 8 (Б)к данной группе. Электронные интегральные схемы и микросборки являютсяустройствами, имеющими высокую плотность пассивных и активных элементов иликомпонентов, которые рассматриваются как отдельные блоки. (В отношенииэлементов или компонентов, считающихся «пассивными» или «активными» см.пояснения к товарной позиции 8534, первый абзац). Однако электронные схемы,содержащие лишь пассивные элементы, исключаются из этой товарной позиции. В отличие от электронных интегральных схем, дискретныекомпоненты могут иметь индивидуальную активную электрическую функцию(полупроводниковые приборы, определенные в примечании 8 (а) к группе 85) илииндивидуальную пассивную электрическую функцию (резисторы, конденсаторы,катушки индуктивности). Дискретные компоненты являются неразъемными ипредставляют собой основные электронные структурные компоненты в системе. Компоненты, состоящие из нескольких электрических схемныхэлементов, и имеющие множество электрических функций, такие как интегральныесхемы, не считаются, однако, дискретными компонентами. Электронные интегральныесхемы включают запоминающие устройства (например, DRAMS, SRAMs, PROMS, EPR0MS,EEPROMS (или Е’PROMS)), микроконтроллеры, схемы управления, логические схемы,вентильные матрицы, интерфейсные схемы и т.д. Электронные интегральные схемы включают:

(1) Монолитные интегральные схемы. Они являются микросхемами, в которых схемные элементы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы, межсоединения и т.д.) образованы в массе (по существу) и на поверхности полупроводникового материала (легированного кремния, например), и поэтому неразъемно связаны. Монолитные интегральные схемы могут быть цифровыми, линейными (аналоговыми) или цифро-аналоговыми.

Монолитные интегральные схемы могут быть представлены, как:

(i) Собранные, то есть с выводами или соединительными проводниками, безотносительно к тому, помещены ли они или нет в керамику, металл или пластмассу. Оболочки могут быть цилиндрическими, в форме параллелепипедов и т.д.

(ii) Не собранные, то есть как чипы, обычно прямоугольной формы, со сторонами, имеющими размер обычно несколько миллиметров.

(iii) В виде не разрезанных на кристаллы пластин (то есть в виде не разрезанных на чипы).

(iv) В виде карт, обычно известных как «ителлектуальные» карты, которые включают в себя электронную интегральную схему (микропроцессор) в виде чипа и которые могут иметь или не иметь магнитную полоску. Однако в эту категорию товаров не включаются «интеллектуальные» карты с двумя или более электронными интегральными схемами и которые могут иметь или не иметь магнитную полоску (товарная позиция 8543).

Монолитные цифровые интегральные схемы включают:

(i) Металл-оксидные полупроводники (МОП-технология)

(ii) Схемы, получаемые биполярной технологией.

(iii) Схемы, получаемые сочетанием биполярной и МОП-технологии (БИМОП-технология).

Металл-оксидный полупроводник (МОП), особенно дополнительный металл-оксидный полупроводник (ДМОП) и биполярные технологии являются «родовыми» технологиями в производстве полупроводников. В качестве основных компонентов монолитных интегральных схем эти транзисторы придают интегральным схемам их отличительные признаки. Биполярные схемы предпочтительны для систем, где необходимо максимальное быстродействие в логических операциях. С другой стороны МОП-схемы предпочтительны для систем, в которых требуется высокая плотность компонентов и низкое потребление энергии. ДМОП-схемы имеют самые низкие требования по мощности. Таким образом, они желательны в случаях, когда обеспечение питанием ограничено или когда может потребоваться охлаждение схемы. Дополнительное сочетание биполярной и МОП технологий реализуется в БИДМОП технологии, которая сочетает скорость биполярных схем с высокой степенью интеграции и малым потреблением энергии ДМОП схем.

Некоторые монолитные интегральные цифровые схемы этой группировки используются в качестве блоков центрального процессора (называемых «микропроцессорами»), блока памяти и т.д.

(2) Гибридные интегральные схемы. Они являются микросхемами, образованными на изоляционной подложке, на которой была образована тонко- или толстопленочная схема. Этот процесс дает возможность получить в то же самое время некоторые пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, разводки и т.д.). Однако чтобы стать гибридной интегральной схемой этой товарной позиции, полупроводники должны быть встроены и установлены на поверхности или в виде чипов, безотносительно к тому, есть у них оболочка или нет, или как помещенные в оболочку полупроводники (например, специально спроектированные миниатюрные оболочки).

Гибридные интегральные схемы могут также содержать образованные отдельно пассивные элементы, которые встроены в основную пленочную схему таким же образом, как и полупроводники. Обычно эти пассивные элементы составляют такие компоненты, как конденсаторы, резисторы или индуктивности в виде чипов.

Подложки, образованные из нескольких слоев, обычно керамических, термосвязанных вместе для образования компактной сборки, должны рассматриваться в качестве единой подложки в пределах значения примечания 5 (Б) (б) к этой группе.

Компоненты, образующие гибридную интегральную схему, должны быть объединены не разъемно для всех целей и областей применения, то есть, хотя некоторые из элементов можно было бы теоретически удалить и заменить, это представляло бы длительную и кропотливую работу, являющуюся не экономичной в нормальных производственных условиях. (III) Многокристальные интегральные схемы. Они состоят из двух или более взаимосвязанных интегральныхсхем, неразъемно объединенных для всех целей и областей применения, независимоот того, имеют ли они одну или больше изолирующих подложек и снабжены онирамкой с внешними выводами, или нет, но не имеющие других активных илипассивных схемных элементов. Многокристальные интегральные схемы обычно представлены вследующих формах: — Две или более монолитных интегральных схемы, соединенныемежду собой «сторона к стороне»; Две или более монолитных интегральных схемы, установленныеодна на другую; Комбинации описанных выше конфигураций, состоящие из трех илиболее монолитных интегральных схем. Эти монолитные интегральные схемы совмещены и связаны вединый блок и могут быть объединены в модуль путем герметизации или другимспособом. Компоненты, образующие гибридную интегральную схему, должны бытьобъединены неразъемно для всех целей и областей применения, то есть, хотянекоторые из элементов можно было бы теоретически удалить и заменить, этопредставляло бы длительную и кропотливую работу, являющуюся неэкономичной внормальных производственных условиях. Изолирующие подложки многокристальных интегральных схеммогут иметь области электрической проводимости. Эти области могут состоять изособых материалов или иметь особую форму, чтобы обеспечивать пассивные функциидругими средствами, чем дискретные схемные элементы. Там, где областипроводимости представлены на подложке, они обычно рассматриваются как средства,которыми монолитные интегральные схемы связаны. Эти подложки могут такжеупоминаться как «платы-переходники» (interposers) или «разделители» (spacers),когда они помещаются над нижней микросхемой или кристаллом. Монолитные интегральные схемы соединяются между собойразличными средствами, такими, как адгезивы, проволочные соединения, илипосредством технологии «перевернутого кристалла» (« f lipс hi р»). Иэ этой товарной позиции исключаются пленочные схемы,состоящие лишь из пассивных элементов (товарная позиция 8534). В данную товарную позицию не включаются твердотельныеэнергонезависимые устройства хранения информации, «интеллектувльные карточки» ипрочие средства для записи звука или других явлений (см. товарную позицию 8523и примечание 4 к данной группе). *** За исключением комбинаций (для всех целей и областейприменения, являющихся неразъемными), на которые делалась ссылка в части (П) и(III) касательно гибридных интегральных схем и многокристальных интегральныхсхем, иэ данной позиции также исключаются сборки, образованные: (а) установкой одного или более дискретных компонентов наопоре, образованной, например, печатной схемой (б) добавлением к электронной микросхеме одного или болеедругих приборов, таких как диоды, трансформаторы, резисторы; или (в) сочетанийдискретных компонентов или сочетаний электронных микросхем, за исключениеминтегральных микросхем многокристального типа. Такие сборки классифицируются следующим образом: (I) Сборки, образующие законченную машину или оборудование(или объект, рассматриваемый как законченный), включаются в товарную позицию,относящуюся к машине или оборудованию;

(й) Другие сборки — в соответствии с положениями о классификации частей машин(примечания 2 (б) и 2 (в) к разделу XVI, в частности), Это случай, в частности,для некоторых электронных модулей памяти (например, SIMMs (Single In-lineMemory Modules) и DIMMs (Dual In-line Memory Modules)). Эти модули должныклассифицироваться в соответствии с примечанием 2 к разделу XVI. (См. Общиеположения пояснений к данной группе).

Пояснения к подсубпозициям

Данная товарная позиция включает модули предварительно программируемых запоминающих устройств в виде монолитных интегральных схем для электронных преобразователей, классифицируемых в подсубпозиции 8470 10 000 9 и 8543 70 150 0.

Данная товарная позиция не включает диски (иногда называемые пластинами), которые, в целях их применения в области электроники содержат легирующие химические элементы, независимо от того, отполированы они или нет и имеют эпитоксиальное покрытие или не имеют, при условии, что они были выборочно легированы или покрыты для создания областей (товарная позиция 3818 00).

Данные подсубпозиции включают:

1. Микропроцессоры, также называемые микропроцессорными устройствами, представляющие собой интегральные схемы, которые могут быть определены как устройства, которые выполняют основную команду и функции управления системой. Они состоят из следующих основных частей:

— арифметического логического устройства (ALU);

— декодера (дешифратора) команд и программного счетчика;

— устройство ввода/вывода (I/O) для связи с другими устройствами.

Микропроцессор способен работать только без использования внутренней и внешней памяти и другого устройства.

Они иметь одно или более микрозапоминающее устройство, микропрограммную память) (оперативное запоминающее устройство (RAM) или постоянное запоминающее устройство (ROM)) для загрузки или хранения микрокоманд, таким образом увеличивая число основных команд в управляющем блоке.

Микропрограммируемое ПЗУ, которое может иметь микропроцессор, предназначено для хранения базовых команд и не может рассматриваться в качестве реальной программной памяти, хранящей команды, подлежащие выполнению.

Эти устройства могут содержать (командную кэш-память) или микропериферийные функции.

Сюда включаются микропроцессоры, всецело предназначенные для выполнения специальной прикладной функции, (выполненные по требованию заказчика), на базе «вентильных матриц» или «стандартных элементов».

Разрядность микропроцессора определяется длиной каждого слова, которое арифметическое логическое устройство может обработать в простом микропрограммном цикле.

2. Микроконтроллеры и микропроцессоры — это интегрированные схемы, состоящие, по крайней мере, из следующих основных частей:

— микропроцессора, также называемого микропроцессорным блоком (MPU).

— программная память (например, оперативное запоминающее устройство (RAM), постоянное запоминающее устройство (ROM), постоянное программируемое запоминающее устройство (PROM), стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство (EPROM), электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство (E2PROM), флэш-E2PROM), в сочетании с декодером (дешифратором) команд и содержащая программу, определяющую последовательность команд.

— память данных (например, оперативное запоминающее устройство (RAM) или электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство (E2PROM)), в отличие от микропроцессоров доступ к которой с других интегральных схем невозможен.

— внешняя шина (канал) (для данных, адресов и команд).

Микроконтроллеры содержат программ или могут быть запрограммированы для выполнения специальных функций или для конкретного применения (например, для телевизионных приемников, видеозаписывающей или воспроизводящей аппаратуры или микроволновых печей).

Микрокомпьютеры могут работать независимо (отдельно) и в качестве обычных компьютеров (например, универсальных ЭВМ, миникомпьютеров и персональных компьютеров). Микрокомпьютеры программируемы по требованиям пользователя.

Сюда включаются микроконтроллеры, всецело предназначенные для выполнения специальной прикладной функции, изготовленные по требованию заказчика, на «вентильных матрицах» или на «стандартных элементах».

Разрядность микроконтроллера или микрокомпьютера определяется длиной каждого слова, которое арифметическое логическое устройство может обработать в простом микропрограммном цикле.

3. Схемы управления, которые представляют собой интегральные схемы, используемые, чтобы оказывать воздействие на работу машины (например, машины автоматической обработки данных). Схемы управления (например, для дисковых накопителей, запоминающих устройств, электрических двигателей или электронно-лучевых трубок) обычно могут интерпретировать сигналы, и, в соответствии с интерпретацией, определять время и последовательность определенный функций (например, ввод, обработка, хранение и вывод в машинах автоматической обработки данных).

См. пояснения кТНВЭД к товарной позиции 4582 (III).

См. пояснения к ТНВЭД к товарной позиции 4582 (III).

Кеш-память прямого доступа — это статические устройства памяти прямого доступа со временем обращения меньшим, чем у основной памяти. Кеш-память прямого доступа обычно используется как временная буферная память для согласования быстродействия оперативной и основной памяти.

Электрически стираемые перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства (ЭСППЗУ) — это обычно память, стираемая побайтно.

Флеш-ЭСППЗУ это устройства памяти также называемые «флеш-память», флеш-ЭСППЗУ, или ППЗУУФС.

Флеш-запоминающие устройства могут быть основаны на ЭСППЗУ или ППЗУУФС технологиях и являются электрически стираемыми либо целиком, либо по секторам.

Программирование, считывание или стирание в этих типах памяти может осуществляться при двойном питании или обычном питании.

Флеш-память, основанная на технологии ППЗУУФС имеет матричную структуру в сочетании с одним транзисторным элементом.

Флеш-память, основанная на технологии ЭСППЗУ имеет матричную структуру в сочетании с двумя или более транзисторными элементами или с одним транзисторным элементом в сочетании с другим транзистором в одном секторе (странице или блоке). Последний тип еще более отличается от памяти на ППЗУУФС технологиях, так как они содержат ряд элементов с характеристиками ЭСППЗУ элементов (например, набор команд ЭСППЗУ).

Данная подсубпозиция включает запоминающие устройства с адресацией и сегнетоэлектрические запоминающие устройства.

Запоминающие устройства с адресацией — это устройства ассоциативные по их содержанию. Адрес ячейки памяти таких устройств определяется по их содержанию или по части их содержания, а не по их имени или местоположению (адресу).

Сегнетоэлектрическая память является энергонезависимой памятью, полученной комбинацией сегнетоэлектрического и полупроводникового материала. Сегнетоэлектрический материал может сохранять электрическую поляризацию при отсутствии воздействия электрического поля.

Эти устройства как электрически программируемы, так и электрически стираемы.

Данная подсубпозиция включает:

1. Целиком и полностью заказные логические схемы, которые определяются и производятся для одного пользователя. Процесс производства включает маршрутизацию и размещение ячеек (логических узлов), используя полностью заказные диффузионные маски. Полностью заказные логические схемы разрабатываются для выполнения специфических функций. Они известны, как прикладные специфические интегральные схемы;

3. Стандартные ячейки, которые представляют собой интегральные логические схемы, состоящие из определенных пользователями подсхем и фиксированных подсхем. Эти подсхемы могут выполнять любую интегрированную функцию (например, логическую функцию или функцию памяти);

4. Программируемые логические схемы являются интегральными логическими схемами, состоящими из фиксированных логических элементов. Функция, выполняемая этими схемами, определяется пользователем установления связей или программированием взаимных связей между логическими элементами.

5. Стандартные логические схемы, которые представляют собой интегрированные логические схемы, состоящие из менее чем 150 логических вентилей (например, И, НЕ-И, ИЛИ, НЕ-ИЛИ). Эти устройства могут интегрировать несколько функций или наборов идентичных или независимых функций;

6. Интерфейсные схемы, которые являются интегральными схемами, выполняющими функцию связи (например, путем преобразования кода, преобразования последовательной передачи битов в параллельное или путем синхронизации) для взаимосвязи программ, интегральных схем, периферийных устройств или систем с различными характеристиками.

7. Микропериферийные устройства, которые представляют собой интегральные схемы, выполняющие специальные функции в дополнение к микропроцессорам, микроконтроллерам и микрокомпьютерам и улучшающие их внешнюю связь, возможности управления и интерфейса.

Технические параметры микропериферийного устройства ясно выражают его отношение и назначение по отношению к микропроцессору, микроконтроллеру и микрокомпьютеру.

Устройства связи, контроля и интерфейса могут состоять из шинных (канальных) контроллеров, контроллеров памяти (динамических оперативных запоминающих устройств, диспетчеров памяти, контроллеров с прямым доступом к памяти) или контроллерами периферийного интерфейса (графические контроллеры, контроллеры локальной сети, универсальные асинхронные приемные/передающие контроллеры, контроллеры клавиатуры, контроллеры массовой памяти (накопителей информации)).

8. Интеллектные схемы (smartpower circuits), которые представляют собой интегральные аналоговые схемы, которые совмещают цифровые и аналоговые схемы (мощные транзисторы), осуществляющие управление логическими выходными сигналами и мощными выходными сигналами. Эти устройства могут обеспечивать, например, внутреннюю защиту от рассеяния мощности, защиту от ошибок и неисправностей или диагностические функции.

См. пояснения к ТНВЭД к товарной позиции 4582 (III).

Источник